中國晶圓適合生產多少nm晶元

㈠ 為什麼晶元越小越好國產晶元研發方向是多少nm級別

眾所周知，這些年在晶元生產，似乎有一種以製程論英雄的感覺，那就是看誰的製程工藝更先進，製造越小越好。比如第一款7nm晶元麒麟980，依靠 製成 工藝和高通驍龍的845打得有來有回。

通常我們所說的CPU的「製作工藝」指 得 是在生產CPU過程中，只要進行加工各種電路和電子元件，製造導線連接各個元器件。通常其生產的精度以微米(長度單位，1微米等於千分之一毫米)來表示，未來有向納米(1納米等於千分之一微米)發展的趨勢，精度越高，生產工藝越先進。在同樣的材料中可以製造更多的電子元件，連接線也越細，提高CPU的集成度，CPU的功耗也越小。

製造工藝的微米是指IC內電路與電路之間的距離。製造工藝的趨勢是向密集度愈高的方向發展，。密度愈高的IC電路設計，意味著在同樣大小面積的IC中，可以擁有密度更高、功能更復雜的電路設計。微電子技術的發展與進步，主要是靠工藝技術的不斷改進，使得器件的特徵尺寸不斷縮小，從而集成度不斷提高，功耗降低，器件性能得到提高。

自2018年以來，晶元，這個原來只有少數人知道的專業名詞，現在逐漸成為了人們議論的熱詞。有的人在強調，晶元是有多麼的重要，我們要努力地追趕；有的人在說，工程師應該多使用國產晶元去替換國外晶元；還有的人在討論，國產晶元性能參差不齊，用著不放心。

國產晶元研發方向是多少nm級別?

像是現在的晶元廠商都在追求更小的製程，比如台積電去年就邁入了7nm時代，而今年會邁入5nm時代，目前的三星是8nm，中芯國際是28nm。

在晶元設計這一塊我們已經走在世界前列，華為麒麟5G晶元足以和高通比肩，麒麟1020就是全球頂尖的5nm晶元，現在差的就是晶元製造。而對於晶元製造而言，設備尤其關鍵。

目前我國內陸最先進的晶元製造業當屬中芯國際無疑，號稱「純國產」晶元的14nm晶元麒麟710A就是由中芯國際代工。但是中芯國際之所以能夠代工麒麟710A，還是因為使用了美國技術和設備。換句話說，如果不用美國技術和設備，中芯國際也不能代工麒麟710A。

那麼14nm晶元與7nm晶元有多麼的大差距?14nm晶元與7nm晶元之間有著1-2代的差距，所以它們之間的差距還是非常大的。

如果在晶元面積相同的情況下，7nm晶元所能集成晶體管的數量要比14nm晶元多很多。這樣來說，晶元的性能就越好。如果在晶體管數量相同的情況下，7nm晶元的面積要比14nm晶元的面積小很多。

我國大陸中最好晶元代工廠是中芯國際，目前中芯國際最好的技術就是14nm工藝，在今年4月份就已經實現了大規模量產，榮耀發布的榮耀Play 4T使用的麒麟710A處理器就是採用的中芯國際14nm工藝。受台積電方面的影響，不僅僅是手機處理器，華為其他晶元也由台積電轉移到了中芯國際。中芯國際的N+1工藝也有望今年年底實現規模量產，對於N+1工藝大家可能比較陌生，中芯國際的N+1工藝與平常我們所說的7nm工藝是差不多的。

台積電目前最先進的生產工藝是5nm，即將發布的麒麟1020處理器與蘋果A14處理器都是採用5nm工藝製成。中芯國際與台積電之間的差距，主要原因在光刻機上。

㈡ 中芯國際現在最高能造己納米的晶元

據中芯國際透露，我國自主設計製造的14納米級晶元已經成功量產，其產能已經接近滿載，這意味著，我國研發的14納米級晶元成功獲得大量訂單。

眾所周知，在晶元的研發領域，中國起步較晚，綜合實力落後於美國、韓國等。近年來，國內晶元企業不斷探索、引進先進的技術和科技人才、投入大量資金等，最終傳來喜訊，中芯國際14納米級晶元成功量產。

據了解，中芯國際的14納米工藝距離全球最先進的7納米只落後兩代。國信證券認為，大陸晶元設計公司尋求大陸代工是必然趨勢。而作為大陸半導體代工龍頭，中芯國際產能充足、產線多樣。

適合眾多晶元代工需求。以14納米工藝的流片對於中芯國際是一個良好的開局，從風險量產到規模量產，目前總計已有超過十個客戶採用中芯國際的14納米工藝。

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中芯國際晶元製造工藝從28nm到14nm用了4年時間。在2019年年底才正式量產14nm晶元，中芯國際晶元製造的主要任務是提高14nm產能。5月中芯國際官方表示已經實現6000晶圓/月。為華為麒麟710A處理器代工完全可以勝任。

美國高盛公司發布信息預測中芯國際未來的技術升級路線。高盛認為中芯國際到2022年晶元製造工藝可升級到7nm，到2024年下半年工藝再次升級至5nm，2025年毛利率將提升到30%以上。

高盛作為一家知名的投資公司，得出一份投資預測報告自然不是一件難事。但在當下就中美半導體的合作情況，這樣的預測或許更讓美國再次深度向我國的科技企業施壓，設置更多的非商業性障礙。

不過話說回來，高盛的預測也存在許多不確定因素。即使中芯國際能如期實現5nm晶元的製造能力，假如其它半導體設備、材料、技術還不能擺脫美國限制或沒有有效的措施應對美國，也很難為我國的高科技企業服務。自然中芯國際的盈利能力也存在不確定性。

中芯國際是我國實現高端晶元極為重要的一環。中芯國際處在半導體產業鏈的中游，受上、下游產業鏈的影響。能不能為我國高科技企業服務，還受美國「實體名單」的影響。

中國「芯」不僅是缺少一台光刻機，也不僅是缺少中芯國際5nm晶元的製造工藝。晶元涉及的設計、材料、工藝、設備、相關技術都是缺一不可。美國也正是利用整個產業鏈的優勢地位，對我國高科技企業進行技術限制。

中芯國際作為晶元製造中最為重要的一環，在美國的影響下，能否擺脫美國的限制在於中國半導體產業生態系統的自主能力。半導體產業生態的完整性、可持續性的形成，才是企業穩健發展的關鍵。總之一句話，中國晶元是一個團隊，不是單槍匹馬。

㈢ 說中國的半導體晶元是28納米與10納米相比差3代啥意思

中國的半導體晶元是28納米與10納米相比差3代，具體是28nm-20nm-14nm-10nm這樣幾代。

以中芯國際為代表的中國大陸晶圓製造廠商已量產的最先進製程為28納米，與全球先進主流製程16/14納米和即將問世的10納米相比相差2-3代。

過去四年一個周期，現在一年一個周期。中國企業奮力追趕，但海外晶元巨頭不會停下腳步，英特爾、三星、台積電紛紛宣布規劃7納米、5納米甚至已准備量產。

按照《國家集成電路產業發展推進綱要》設定的目標，到2020年，中國晶圓製造16/14納米製造工藝實現規模量產。魏少軍認為，如果依舊遵循傳統的架構，以跟隨腳步進行發展，將始終落後於人。因此，從晶元設計底層架構進行創新尤為重要。

同時，作為半導體產業支撐的設備與材料領域差距最大。國家大基金副總裁韋俊直言，「裝備和材料領域的差距不是一般的大，甚至找不到合適的投資標的。」

「最難的是材料。矽片我們有好幾家在做，但集成電路製造涉及多種金屬和化學耗材，海外企業真卡我們。國家在這些方面的支持力度須加強。」陳大同對中國證券報記者表示，裝備方面，2006年啟動的國家02專項（「極大規模集成電路製造技術及成套工藝」項目）起到撒種子的作用，支持了不少設備公司，幾乎每種半導體設備都有做，但市場競爭力差得很遠。

㈣ 國產晶元能生產多少納米

國產晶元水平只能實現90納米。

從晶元製造環節看，光刻機、蝕刻機、晶圓、光刻膠等設備和材料佔比很大。其中光刻機設備，目前上海微電子是90納米。高端的KrF和ArF光刻膠更是幾乎依賴進口，其中ArF光刻膠幾乎為零國產。因此，我國要生產高度國產化的晶元，目前90納米是一個分界點。

這其中還不包含晶元設計使用的EDA設計軟體和其它的電子化學氣體材料。EDA軟體被譽為「晶元設計上的明珠」，國產率不到2%。

90納米晶元！相當於2004年的半導體工藝。2007年，蘋果上市的第一代手機就是使用了90納米的處理器。可以說，90納米晶元瞬間讓大家回到了15年前的科技生活。

當然，這樣的結果只是一種極端的假設。我國半導體產業鏈，並不是這么差。有些環節、技術、設備已經達到國際水平。譬如晶元設計、人工智慧、大數據、5G、蝕刻機。換言之，半導體基礎把我國半導體的綜合能力拉低了。

㈤ 中芯國際獲14nm生產許可，這對國產半導體擴產能有何意義

中芯國際或14納米生產許可，這個精度可以說不能夠達到人們日常使用的晶元精度要求，但這是一個好的起點，因為國內的產業尤其是與晶元先進製造有關的東西，一定是需要一點 1:00開始做的，必須得有開始。

希望有一天國產的這些光刻機的企業，或者做晶元的企業，他們的進度能夠盡早趕上世界先進水平，因為大部分的業內人士都是預測5年內能夠達到中等水平，10年內能夠達到世界前列，就是一個相當不錯的結果了，我們希望這一天能夠盡早到來。

㈥ 28nm晶元全產業鏈基本國產化，能夠滿足國內多少比例的晶元供應

28nm晶元全產業鏈基本國產化，能夠滿足國內80%以上的晶元供應。

一、28nm晶元全產業鏈基本國產化

例如：新能源汽車，因為它有很多種半導體元件。傳統的燃料汽車需要70到100個半導體元件，而電動汽車則需要300到500個，而在未來的發展中，將會破千、破萬。

這是一個龐大的數字，需要大量的生產來支撐，而這也導致了另一個機會，那就是產能的爆炸。28nm製程晶元的應用非常廣泛，占據了很大的市場份額。這對於國內的半導體行業而言，28nm晶元的國產化，無疑是一件非常有意義的事情。

㈦ 一塊晶圓究竟可以生產多少晶元

就在最近關於我國的半導體領域的新聞層出不窮，不管是華為被美國在半導體領域打壓也好，還是我國的半導體最新產業政策也罷，都是圍繞著我國的半導體行業來的。最近又傳出了一個新的消息那就是，日本的一個晶圓廠將要出售給我們國家的半導體公司，出售60%的股權，並不是全出。這家公司的晶圓生產線一共11條，分別是8英寸的和12英寸的生產線，這一個收購對於我們國家來說是一個利好消息，因為我們國內的12寸晶圓生產線太少，恰好12寸晶圓也是最重要的。現在的14納米以下的晶元，必須要使用12寸的，因此這就完完全全體現了12寸的生產線的重要性。

因此晶圓是很貴的材料，不容許有一絲一毫的浪費出現，這也就是為什麼越先進的晶元使用的晶圓越大的原因。

㈧ 中國國產的光刻機最小製程能達到多少

90納米。

封裝光刻機在國內市場已佔據不小的份額，這是國產光刻機取得的進步。然而在代表著光刻機技術水平的晶圓製造光刻機方面，上海微裝可生產加工90nm工藝製程的光刻機，這是國產光刻機最高水平，而ASML如今已量產7nm工藝製程EUV光刻機，兩者差距不得不說非常大。

光刻機的最小解析度、生產效率、良率均在不斷發展。 光刻機的最小解析度由公示 R=kλ/NA，其中 R 代表可分辨的最小尺寸，對於光刻技術來說R 越小越好，k 是工藝常數，λ 是光刻機所用光源的波長。

NA 代表物鏡數值孔徑，與光傳播介質的折射率相關，折射率越大，NA 越大。光刻機製程工藝水平的發展均遵循以上公式。此外光刻機的內部構造和工作模式也在發展，不斷提升晶元的生產效率和良率。

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注意事項：

進入機倉檢查或維修必須切斷電源，掛上警示牌並與中控，檢修或檢查時必須使用36V以下照明。

必須經常監視機器運轉情況，如聽任何不正常聲音，應立即停機檢查，查明原因並處理完故障後，方可重新起動。

正常運轉中，應特別注意電機和轉子的溫度變化，保證充足的油潤滑、水冷卻，超過規定值立即停機檢查。

運行時不準打開觀察孔，以防物料飛出傷人，每周應檢查一次轉子卡箍螺栓的松緊情況。

㈨ 中國能造出幾nm晶元

28nm。
前段時間好像說14nm有技術突破，估計14也快了。勉強追上英特爾的屁股。