海威華芯一年的收入多少

Ⅰ 氮化鎵上市公司有哪些

1、海陸重工002255，公司旗下江蘇能化微電子科技發展有限公司專業研發生產以氮化鎵為代表的復合半導體高性能晶圓，並用其生產功率器件。
2、兆馳股份002429，兆馳半導體能夠獨立完成「藍寶石平片→圖案化基板PSS→LED外延片→LED晶元」整個製作流程，有氮化鎵外延片，能夠提供全面的晶元解決方案。
3、聞泰科技600745，旗下安世集團擁有生產氮化鎵相關的技術，安世半導體生產GaN產品車載GaN已經量產，全球最優質的氮化鎵供應商之一。
4、耐威科技300456，公司從事第三代半導體業務，主要是指GaN材料的生長與器件的設計，公司已成功研製8英寸硅基氮化鎵外延晶圓，且正在持續研發氮化鎵器件。
5、三安光電600703，公司增建包括高端氮化鎵LED襯底、外延、晶元;高端砷化鎵LED外延、晶元;大功率氮化鎵激光器;特種封裝產品應用四個產品方向的研發、生產基地。
6、海特高新002023，光電是公司重點發展方向之一，公司在部分產品如光纖通訊及硅基氮化鎵已實現量產。
7、台基股份300046，功率半導體細分市場的重要企業，跟蹤和研發以Sic（碳化硅）和GaN（氮化鎵）為代表的第三代寬禁帶半導體材料和器件技術。
8、和而泰002402，子公司鐮昌科技主營業務為微波室米波射頻晶元的設計研發、生產和銷售;已掌握成熟的氮化鎵相控陣核憂晶元生產工藝，產品已經批量應用於航天、航空等相關型號裝備。
9、捷捷微電300623，公司與中科院電子研究所、西安電子科大合作研發的是以Sc、GaN為代表第三代半導體材料的半導體器件，具有耐高壓、耐高溫、高速和高效等優點，可大幅降低電能變換中的能量損失，大幅減小和減輕電力電子變換裝置。
10、乾照光電300102，公司憑借在砷化鎵和氮化鎵光電器件領域多年研發和生產的積累，積極布局以砷化鎵和氮化鎵材料為基礎的化合物半導體方向，投資16億元加碼半導體研發項目。
11、航天發展000547，氮化鎵晶元的生產與研發是旗下微系統研究院的主要業務之一。
12、聚燦光電300708，公司旗下海威華芯建立了國內第—條英寸砷化藏願化鎵半導體晶圓生產線，已達到砷化鎵2000片/月,氮化鎵600片/月的晶圓製造能力，公司部分產品已經實現量產。
13、亞光科技300123，公司GaN功率放大器實現小批量量產，公司現有自研射頻晶元共計400多款，包括5G使用的低噪、功放、開關、濾波器答。
14、士蘭微600460，公司已建成6英寸的硅基氮化鎵集成電路晶元生產線，涵蓋材料生長、器件研發、GaN電路研發、封裝、系統應用的全技術鏈。
15、富滿電子300671，國內電源管理領軍者，主營充電器主控晶元，與oppo合作研發過GaN的充電器。
16、海能實業300787，公司使用氮化鎵技術的產品主要為旅行充電器和充電站（四口及以上多口充電器），其中包含單個USBType-C充電器、雙USBType-C充電器、USBType-C+USBType-A雙口充電器、多口充電器等。
17、華峰測控688200，在寬禁帶半導體測試方面，公司量產測試技術取得了重大進展，實現了晶圓級多工位並行測試，解決了多個GaN晶圓級測試的業界難題，並已成功量產。

Ⅱ 兩年，超500億灰飛煙滅！「芯騙」坑國的武漢弘芯們還在繼續

文 | 特約作者張小星

編輯 | 淺夏

來源 | 新10億商業參考

（ID：xsy-shangyecankao）

三年前，武漢弘芯成立，揚言投資1280億研發晶元，欲比肩台積電，掀起一場轟轟烈烈的造"芯"運動；

三年後，燒完153億元，武漢弘芯工程停滯，幾近爛尾，分包商、工人被欠款後，投訴無門。

其幕後大股東從業經歷與半導體無半點關系，竟撬動了千億半導體項目，獲得武漢政府墊資。

國內晶元產業似乎進入大躍進階段，"弘芯"事件並非個例。成都格芯、南京德科碼、貴州華芯通、山西坤同半導體……不少半導體項目燒了巨款後，歸於沉寂。

半導體是個回報周期長，資金需求量巨大的產業，只能穩中求進。"弘芯"過後，國內造"芯"事業，再次迷航。

01

千億項目"弘芯"停擺

中美博弈風口浪尖上，晶元國產化成了當務之急。晶元風口下，國內晶元投機分子蠢蠢欲動，借機揮下鐮刀。

近段時間，投資額高達1280億元的武漢重點項目武漢弘芯曝出"爛尾"，事件引發 社會 高度關注。

2017年11月，武漢弘芯出世。據介紹，該項目聚集了全球的半導體晶圓研發製造專家，擁有先進的邏輯工藝和晶圓級先進封裝技術經驗，未來預計建成14納米和7納米兩條邏輯工藝生產線，月產量均達到每月3萬片，且員工人數至少達到1000人規模。

要知道，現在能夠實現7納米晶元量產的企業只有台積電與三星， 武漢弘芯一上來就直接把自己定位在了全球第三的位置。

除此之外， 弘芯還請來了台積電創始人張忠謀的左膀右臂、台積電"二號人物"蔣尚義出任CEO。

在台積電多年任職期間，蔣尚義曾將研發團隊從400人擴編至7600人，打造出世界級研發團隊，引領台積電從技術追隨者為技術領導者，是名副其實的"行業大牛"。

恰恰由於蔣尚義坐鎮，不少台積電人才轉向大陸。去年以來，大陸從台積電挖走100多名經驗豐富的工程師和管理人員，其中有一半去了武漢。

有國內媒體曾援引《日經亞洲評論》報道稱， 弘芯提供的工資待遇超出想像，是台積電薪酬和獎勵總金額的2~2.5倍 。

這一度讓台積電十分緊張。

蔣尚義加持下，弘芯又購入了價值6億元的EUV（極紫外線）光刻機，這個光刻機僅荷蘭ASML才可以生產，台積電和三星的光刻機也都來自ASML。

EUV光刻機稀有昂貴，有消息表明中國僅購買了2台，武漢弘芯就成功拿下1台，這讓它一時間晉為晶元界明星項目。

在2019年底ASML光刻機進廠儀式上，背景板上寫著"弘芯報國，夢圓中華"。

2018年、2019年，武漢弘芯連續入選湖北省級重點建設項目，風光無限。

2020年4月武漢市發改委發布的《武漢市2020年市級重大在建項目計劃》中，武漢弘芯半導體項目仍然以1280億元的總投資額位列第一， 截至2019年底已完成投資153億元，2020年計劃投資87億元。

但就在大家抱以無比期待的2年等待後，等來的卻是弘芯的爆雷。

今年6月，媒體傳出蔣尚義萌生退意，他對外回應的是"公司是有些問題待解決"。

緊接著，7月30日，一份來自武漢市區政府網站意外披露的消息，將武漢弘芯推至風口浪尖，網站中關於投資建設的報告顯示， 武漢弘芯項目"存在較大資金缺口，隨時面臨資金鏈斷裂大致項目停滯風險"。

該報告還指出，弘芯二期用地一直未完成土地調規和出讓，項目缺少土地等材料，不能上報給國家發改委窗口指導，導致其他股權基金無法導入。

資金捉襟見肘，欠款丑聞甚囂塵上。

武漢弘芯拖欠總包商武漢火炬建設集團有限公司數億工程款，還拖欠了分包商武漢環宇基礎建設公司4100萬工程款。

被二者訴至法庭後，弘芯公司賬戶因此凍結，二期價值7530萬元的土地使用權被法院裁定查封三年。官司還在進行中。

針對此事，武漢弘芯去年11月公開聲明，公司按期足額支付總承包商火炬集團工程款，而火炬集團與武漢環宇間屬於內部結算糾紛。

至此，拖欠分包商工程款、工人工資，款項至今沒有著落，武漢弘芯幾近停擺，千億項目灰飛煙滅。

其實，在爆雷之前，弘芯已有跡象，這直接體現在員工招聘和收入上。

去年起，網上網路貼吧和知乎上很多准員工稱收到offer後，公司遲遲沒有通知入職，現有員工公積金繳納比例也從12%降至8%。

另外，有記者發現武漢弘芯"作假"，其購買並不是光刻機EUV，而是DUV（深紫外光）光刻機。

如今，這台光刻機在"全新尚未啟用"的情況下，就以5.8億抵押給了銀行等著落灰。

而弘芯現有員工因為無法投入生產，只能每天坐在辦公室寫寫PPT。

02

弘芯背後神秘麗影

回顧三年前武漢弘芯誕生之際，揚言要在國際晶元市場上彎道超車，憑借起步7nm工藝技術，一舉比肩台積電。眼前的弘芯壯志未酬，身先死。

弘芯幕後人物一直像影子般存在。天眼查顯示，武漢弘芯注冊資本20億元，目前實繳資本為2億元。

這2億元全部來自於持股10%的股東之一武漢臨空港，武漢臨空港的錢是武漢東西湖區國有資產監督管理局出的，也即國有資本。

而 持股90%、需提供18億元的大股東北京光量藍圖 科技 有限公司實繳資本卻為0。

20億注冊資本一分沒出，空手套白狼。在此之下，政府資金一旦燒完，資金鏈立刻崩潰。

北京光量藍圖非常神秘，公司成立於2017年11月2日，早於武漢弘芯半個月。公司成立之初，龍偉、曹山均是分別任董事長和董事，在2019年1月兩人從武漢弘芯董事名單中退出，之後李雪艷出任董事長、莫森進入董事。

據了解，曹山本身從事半導體行業，擔任6家半導體公司法人、執行董事職務，布局半導體行業兩年多時間。由此看出，光量藍圖一開始具備從事半導體能力。

然而，當曹山退出後，光量藍圖成了名副其實的空殼公司。李雪艷原先投資生態 科技 、買燒酒、辦餐飲、蓋園林，從業背景與半導體無半點聯系，創辦武漢弘芯前半個月創立了光量藍圖，項目至今未投入任何資金，一直在燒政府的錢。

而莫森則未查到任何與半導體有關的從業背景。

兩個從未接觸過半導體的人，竟然做了一千多億的半導體項目，令人匪夷所思。

剝開迷霧，結合前文層層梳理，也即 李雪艷等人成立了空殼公司光量藍圖，再通過空殼公司拿到成都政府重點項目武漢弘芯，弘芯又通過總包商"武漢火炬建設"將債務和風險轉移給了待貸款銀行、分包商和供應商。

如此一來，他們不投資便獲得一大筆收益。

去年7月和11月，光量藍圖因未及時公布年報和登記經營場所無法聯系，被列入經營異常名錄企業。

再看武漢弘芯，即便該公司股權結構清晰，細究之後也是疑竇重重 。兩位離開的關鍵人物中，曹山從業背景已介紹過，而龍偉實則是慶安貿易總經理、法人。

慶安貿易曾投資過成都海威華芯 科技 有限公司，早就開始布局晶元產業，武漢弘芯是其第二次投資人晶元項目。

公司在龍偉之前的投資人為劉亞蘇，關於此人的相關新聞中常見軍方背景，再加上慶安貿易名字與軍工企業慶安集團高度關聯，可見慶安貿易並不簡單。

有媒體在文章中也用了 "傳聞稱弘芯背後大股東資金來源或具有軍方背景" 的話加以描述，武漢弘芯並未給予過回應，更顯其神秘性。

"爛尾"消息曝出，被寄予厚望的民族企業瞬間成了騙局，政府、承包商、供應商、工程師、員工慘遭重擊。讓人唏噓不已。

03

國內半導體"大躍進"

中國的晶元設計企業數量世界第一，實際設計水平也達到世界第二名。但製造是短板，很多材料全部依賴進口。

2019年，中國晶元進口額高達3040億美元，遠超排名第二的原油進口額。

經歷過華為、中興事件後，中國未來加大晶元領域投入，除了相關免稅政策外，還牽頭創辦實驗室，很多大基金趨之若鶩。

中科院表示，美國"卡脖子"清單變成科研任務，將進行全面布局。在此背景下，若中國晶元能崛起，可謂是"涅槃重生"。

但資本家們紛至沓來，引起的卻是大量企業在全國各地畫大餅、投資圈錢圈地，地方政府忽視項目真實情況，虛假項目大行其道，爆雷事件接踵而至。

記者采訪了行業觀察者張昊（匿名），其表示"一個未來存在很大機會的行業，肯定會引來很多人投資發展"。

近兩年，類似武漢弘芯爆雷事件的還有：

另據《瞭望》報道，在短短一年多時間里，分布於我國江蘇、四川、湖北、貴州、陝西等 5 省的 6 個百億級半導體大項目先後停擺。「芯騙」坑國的武漢弘芯們還在繼續……

國內造"芯"事業屢屢遇阻，張昊表示，"其實多年前也有過很多類似的失敗案例，只是近期發生的事件頻頻被爆出，才感覺很多。"

針對這些被看做"騙局"的半導體項目，"一些項目一開始想得過於遠大，中途發現做晶元難度太大，自身研發能力不足，最後做不下去了。"從而演變成騙局。

半導體及其耗資且回報周期長，需要一代人二三十年沉下心做研究，國內第一晶元代工廠中芯國際，苦熬20年才實現14nm工藝產量，新生代企業挑戰7nm工藝，談何容易；中科院換道 探索 20年研發出碳基晶元也絕非一蹴而就。

反觀國內投資，多數追求短期回報，一些項目藉此大肆圈錢。

還有一種情況，"項目方根本沒有做好准備，想利用政府資源整合，獲得融資發展機會，到最後發現做不下去了。"還有一種可能， "或許從最初就是一場騙局。 "

數據顯示，中國在2019年僅本土生產了其國內使用所需半導體的16％，可見，距離實現半導體行業的自給自足和全球領導地位的目標還很遙遠。

動輒以十年計算回報周期的晶元行業，單靠政府土地優惠政策遠遠不夠，企業在沒有盈利前，"活下去"才是戰略重點。

Ⅲ 氮化鎵市場風口來臨 國內哪些企業在布局

日前，華為旗下哈勃投資入股山東天岳的消息，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導體材料再次走入大眾視野，引起業界重點關注。

事實上，隨著半導體技術不斷進步，對半導體器件性能、效率、小型化要求的越來越高，傳統硅半導體材料逐漸無法滿足性能需求，碳化硅、氮化鎵等第三代半導體材料憑借著優異的性能，早已成為當前世界各國競相布局的焦點，我國在加速發展集成電路產業的同時，把發展第三代半導體技術列入國家戰略。

如今5G時代到來，將推動半導體材料實現革命性變化。其中，氮化鎵器件以高性能特點廣泛應用於通信、國防等領域，其市場需求有望在5G時代迎來爆發式增長。風口來臨，我國目前有哪些企業在布局？下面將從襯底、外延片、製造及IDM幾大分類盤點國內氮化鎵主要企業。

GaN襯底企業

東莞市中稼半導體 科技 有限公司

東莞市中鎵半導體 科技 有限公司成立於2009年1月，總部設於廣東東莞，總注冊資本為1.3億元人民幣，總部設立廠房辦公區等共17000多平方米，並在北京有大型研發中心，為中國國內一家專業生產氮化鎵襯底材料的企業。

官網顯示，中鎵半導體已建成國內首家專業的氮化鎵襯底材料生產線，制備出厚度達1100微米的自支撐GaN襯底，並能夠穩定生產。2018年2月，中鎵半導體實現4英寸GaN自支撐襯底的試量產。

東莞市中晶半導體 科技 有限公司

東莞市中晶半導體 科技 有限公司成立於2010年，是廣東光大企業集團在半導體領域繼中鎵半導體、中圖半導體後布局的第三個重點產業化項目。

中晶半導體主要以HVPE設備等系列精密半導體設備製造技術為支撐，以GaN襯底為基礎，重點發展Mini/MicroLED外延、晶元技術，並向新型顯示模組方向延展；同時，中晶半導體將以GaN襯底材料技術為基礎，孵化VCSEL、電力電子器件、化合物半導體射頻器件、車燈封裝模組、激光器封裝模組等國際前沿技術，並進行全球產業布局。

蘇州納維 科技 有限公司

蘇州納維 科技 有限公司成立於2007年，致力於氮化鎵單晶襯底的研發與產業化，實現了2英寸氮化鎵單晶襯底的生產、完成了4英寸產品的工程化技術開發、突破了6英寸的關鍵技術，現在是國際上少數幾家能夠批量提供2英寸氮化鎵單晶產品的單位之一。

據官網介紹，目前納維 科技 GaN單晶襯底產品已提供給300餘家客戶使用，正在提升產能向企業應用市場發展，重點突破方向是藍綠光半導體激光器、高功率電力電子器件、高可靠性高功率微波器件等重大領域。

鎵特半導體 科技 （上海）有限公司

鎵特半導體 科技 （上海）有限公司成立於2015年4月，主要從事大尺寸的高質量、低成本氮化鎵襯底的生長，以推動諸多半導體企業能夠以合理價來購買並使用氮化鎵襯底。鎵特半導體已自主研發出HVPE設備，並用以生長高質量的氮化鎵襯底。

官網顯示，藉助自主研發的HVPE設備，鎵特半導體已成功生長出4英寸的自支撐氮化鎵襯底。鎵特半導體表示，未來幾年內將建成全球最大的氮化鎵襯底生長基地，以此進一步推廣氮化鎵襯底在半導體材料市場上的廣泛應用，並將依託自支撐GaN襯底進行中下游的高端LED、電力電子及其他器件的研發和製造。

GaN外延片企業

蘇州晶湛半導體有限公司

蘇州晶湛半導體有限公司成立於2012年3月，致力於氮化鎵（GaN）外延材料的研發和產業化。2013年8月，晶湛半導體開始在蘇州納米城建設GaN外延材料生產線，可年產150mm氮化鎵外延片2萬片；2014年底，晶湛半導體發布其商品化8英寸硅基氮化鎵外延片產品。

官網介紹稱，截至目前，晶湛半導體已完成B輪融資用於擴大生產規模，其150mm的GaN-on-Si外延片的月產能達1萬片。晶湛半導體現已擁有全球超過150家的著名半導體公司、研究院所客戶。

聚能晶源（青島）半導體材料有限公司

聚能晶源（青島）半導體材料有限公司成立於2018年6月，專注於電力電子應用的外延材料增長。針對外延材料市場，聚能晶源正在開發硅基氮化鎵材料生長技術並銷售硅基氮化鎵外延材料作為產品。

2018年12月，聚能晶源成功研製了達到全球業界領先水平的8英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延晶圓。該型外延晶圓在實現了650V/700V高耐壓能力的同時，保持了外延材料的高晶體質量、高均勻性與高可靠性，可以完全滿足產業界中高壓功率電子器件的應用需求。

北京世紀金光半導體有限公司

北京世紀金光半導體有限公司成立於2010年12月，經過多年發展，世紀金光已成為集半導體單晶材料、外延、器件、模塊的研發、設計、生產與銷售於一體的、貫通第三代半導體全產業鏈的企業。

在碳化硅領域，世紀金光已實現碳化硅全產業鏈貫通，氮化鎵方面，官網顯示其目前則以氮化鎵基外延片為主。

聚力成半導體（重慶）有限公司

聚力成半導體（重慶）有限公司成立於2018年9月，是重慶捷舜 科技 有限公司在大足區設立的公司。2018年9月，重慶大足區政府與重慶捷舜 科技 有限公司簽約，擬在重慶建設「聚力成外延片和晶元產線項目」。

2018年11月，聚力成半導體（重慶）有限公司舉行奠基儀式，項目正式開工。該項目佔地500畝，計劃投資50億元，將在大足高新區建設集氮化鎵外延片、氮化鎵晶元的研發與生產、封裝測試、產品設計應用為一體的全產業鏈基地。2019年6月5日，該項目一期廠房正式啟用，預計將於今年10月開始外延片的量產。

GaN製造企業

成都海威華芯 科技 有限公司

成都海威華芯 科技 有限公司成立於2010年，是國內首家提供6英寸砷化鎵/氮化鎵微波集成電路的純晶圓代工企業。據了解，海威華芯由海特高新和央企中電科29所合資組建，2015年1月，海特高新以5.55億元收購海威華芯原股東股權，並以增資的方式取得海威華芯52.91%的股權成為其控股股東，從而涉足高端化合物半導體集成電路晶元研製領域。

海威華芯6英寸第二代/第三代半導體集成電路晶元生產線已於2016年8月投入試生產。官網顯示，海威華芯已開發了5G中頻段小於6GHz的基站用氮化鎵代工工藝、手機用砷化鎵代工工藝，發布了毫米波頻段用0.15um砷化鎵工藝。砷化鎵VCSEL激光器工藝、電力電子用硅基氮化鎵製造工藝在2019年也取得了較大的進展。

廈門市三安集成電路有限公司

廈門市三安集成電路有限公司成立於2014年，是LED晶元製造公司三安光電下屬子公司，基於氮化鎵和砷化鎵技術經營業務，是一家專門從事化合物半導體製造的代工廠，服務於射頻、毫米波、功率電子和光學市場，具備襯底材料、外延生長以及晶元製造的產業整合能力。

三安集成項目總規劃用地281 畝，總投資額30億元，規劃產能為30萬片/年GaAs高速半導體外延片、30萬片/年GaAs高速半導體晶元、6萬片/年GaN高功率半導體外延片、6萬片/年GaN高功率半導體晶元。官網顯示，三安集成在微波射頻領域已建成專業化、規模化的4英寸、6英寸化合物晶圓製造產線，在電子電路領域已推出高可靠性、高功率密度的SiC功率二極體及硅基氮化鎵功率器件。

華潤微電子有限公司

華潤微電子有限公司是華潤集團旗下負責微電子業務投資、發展和經營管理的企業，亦是中國本土具有重要影響力的綜合性微電子企業，其聚焦於模擬與功率半導體等領域，業務包括集成電路設計、掩模製造、晶圓製造、封裝測試及分立器件，目前擁有6-8英寸晶圓生產線5條、封裝生產線2條、掩模生產線1條、設計公司3家，為國內擁有完整半導體產業鏈的企業。

2017年12月，華潤微電子完成對中航（重慶）微電子有限公司（後更名為「華潤微電子（重慶）有限公司」）的收購，重慶華潤微電子採用8英寸0.18微米工藝技術進行晶元生產，並在主生產線外建有獨立的MEMS和化合物半導體工藝線，具備氮化鎵功率器件規模化生產製造能力。

杭州士蘭微電子股份有限公司

杭州士蘭微電子股份有限公司成立於成立於1997年，專業從事集成電路晶元設計以及半導體相關產品製造，2001年開始在杭州建了第一條5英寸晶元生產線，現已成為國內集成電路晶元設計與製造一體（IDM）企業。

近年來，士蘭微逐步布局第三代化合物功率半導體。2017年，士蘭微打通一條6英寸的硅基氮化鎵功率器件中試線。2018年10月，士蘭微廈門12英寸晶元生產線暨先進化合物半導體生產線開工，其中4/6英寸兼容先進化合物半導體器件生產線總投資50億元，定位為第三代功率半導體、光通訊器件、高端LED晶元等。

GaN IDM企業

蘇州能訊高能半導體公司

蘇州能訊高能半導體有限公司成立於2011年，致力於寬禁帶半導體氮化鎵電子器件技術與產業化，為5G移動通訊、寬頻帶通信等射頻微波領域和工業控制、電源、電動 汽車 等電力電子領域等兩大領域提供高效率的半導體產品與服務。

能訊半導體採用整合設計與製造（IDM）的模式，自主開發了氮化鎵材料生長、晶元設計、晶圓工藝、封裝測試、可靠性與應用電路技術，目前公司擁有專利256項。該公司在江蘇建有一座氮化鎵（GaN）電子器件工廠，廠區佔地55畝，累計投資10億元。

江蘇能華微電子 科技 發展有限公司

江蘇能華微電子 科技 發展有限公司成立於2010年6月，是由國家千人計劃專家朱廷剛博士領銜的、由留美留澳留日歸國團隊創辦的一家專業設計、研發、生產、製造和銷售以氮化鎵為代表的復合半導體高性能晶圓、以及用其做成的功率器件、晶元和模塊的高 科技 公司。

能華微電子先後承擔了國家電子信息產業振興和技術改造專項的大功率GaN功率電子器件及其材料的產業化項目、國家重點研發計劃戰略性先進電子材料重點專項的GaN基新型電力電子器件關鍵技術項目等。2017年，能華微電子建成8英寸氮化鎵晶元生產線並正式啟用。

英諾賽科（珠海） 科技 有限公司

英諾賽科（珠海） 科技 有限公司成立於2015年12月，該公司採用IDM 全產業鏈模式，致力於打造一個集研發、設計、外延生長、晶元製造、測試與失效分析為一體的第三代半導體生產平台。2017年11月，英諾賽科的8英寸硅基氮化鎵生產線通線投產，成為國內首條實現量產的8英寸硅基氮化鎵生產線，主要產品包括30V-650V氮化鎵功率與5G射頻器件。

2018年6月，總投資60億元的英諾賽科蘇州半導體晶元項目開工，今年8月30日項目主廠房封頂，預計12月底生產設備正式進廠，2020年可實現規模化量產。該項目聚焦在氮化鎵和碳化硅等核心產品，將打造將成為集研發、設計、外延生產、晶元製造、分裝測試等於一體的第三代半導體全產業鏈研發生產平台。

大連芯冠 科技 有限公司

大連芯冠 科技 有限公司成立於2016年3月，該公司採用整合設計與製造（IDM）的商業模式，主要從事第三代半導體硅基氮化鎵外延材料及電力電子器件的研發、設計、生產和銷售，產品應用於電源管理、太陽能逆變器、電動 汽車 及工業馬達驅動等領域。

官網介紹稱，芯冠 科技 已建成首條6英寸硅基氮化鎵外延及功率器件晶圓生產線。2019年3月，芯冠 科技 在國內率先推出符合產業化標準的650伏硅基氮化鎵功率器件產品（通過1000小時HTRB可靠性測試），並正式投放市場。

江蘇華功半導體有限公司

江蘇華功半導體有限公司成立於2016年5月，注冊資本為2億元人民幣，一期投入10億元人民幣。官網介紹稱，目前公司已全面掌握大尺寸Si襯底高電導、高耐壓、高穩定性的GaN外延技術並掌握具有自主知識產權的增強型功率電子器件製造技術。

根據官網顯示，華功半導體可提供2英寸、4英寸、6英寸及8英寸GaN-on-Si功率電子器件用外延片產品，並基於華功自有知識產權的GaN-on-Si外延技術設計和製造，提供650V/5A-60A系列化高速功率器件。

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集邦咨詢(TrendForce)是一家橫跨存儲、集成電路與半導體、光電顯示、LED、新能源、智能終端、5G與通訊網路、 汽車 電子和人工智慧等領域的全球高 科技 產業研究機構。公司在行業研究、政府產業發展規劃、項目評估與可行性分析、企業咨詢與戰略規劃、媒體營銷等方面積累了多年的豐富經驗，是政企客戶在高 科技 領域進行產業分析、規劃評估、顧問咨詢、品牌宣傳的最佳合作夥伴。

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Ⅳ 給海威華芯2O21年Pe70,市值160億元股價是多少

那你就要看他有多少股本了，沒有分母，一切都無從計算，市值除以股本才能得到對應的股價，期間還要考慮公司是否有分紅和送股，一旦發生以上行為，會影響市值和股本

Ⅳ 成都海威華芯科技有限公司怎麼樣

簡介： 2016年2月26日,公司名稱由成都嘉石科技有限公司變更為成都海威華芯科技有限公司。
法定代表人：萬濤
成立時間：2010-12-02
注冊資本：120100萬人民幣
工商注冊號：510122000081155
企業類型：其他有限責任公司
公司地址：中國（四川）自由貿易試驗區成都市雙流區西南航空港經濟開發區物聯大道88號

Ⅵ 砷化鎵太陽能電池龍頭企業

成都海威華芯科技有限公司與電子科技大學
海威華芯擁有國際一流的半導體工藝設備，包括：步進式光刻機、離子注入機、金屬濺射台、金屬蒸發台、濕法蝕刻台等，設備穩定性高。
性能優越，並且實現自動化製造，可為客戶提供穩定、高效、優質的服務。
據悉，海威華芯擁有完整的技術團隊、先進的GaAs集成電路製造技術和生產設備。
其「六英_GaAs集成電路Foundry線」是國家支持的重點產業化項目，在國際國內具有重要的戰略意義。