海威华芯一年的收入多少

Ⅰ 氮化镓上市公司有哪些

1、海陆重工002255，公司旗下江苏能化微电子科技发展有限公司专业研发生产以氮化镓为代表的复合半导体高性能晶圆，并用其生产功率器件。
2、兆驰股份002429，兆驰半导体能够独立完成“蓝宝石平片→图案化基板PSS→LED外延片→LED芯片”整个制作流程，有氮化镓外延片，能够提供全面的芯片解决方案。
3、闻泰科技600745，旗下安世集团拥有生产氮化镓相关的技术，安世半导体生产GaN产品车载GaN已经量产，全球最优质的氮化镓供应商之一。
4、耐威科技300456，公司从事第三代半导体业务，主要是指GaN材料的生长与器件的设计，公司已成功研制8英寸硅基氮化镓外延晶圆，且正在持续研发氮化镓器件。
5、三安光电600703，公司增建包括高端氮化镓LED衬底、外延、芯片;高端砷化镓LED外延、芯片;大功率氮化镓激光器;特种封装产品应用四个产品方向的研发、生产基地。
6、海特高新002023，光电是公司重点发展方向之一，公司在部分产品如光纤通讯及硅基氮化镓已实现量产。
7、台基股份300046，功率半导体细分市场的重要企业，跟踪和研发以Sic（碳化硅）和GaN（氮化镓）为代表的第三代宽禁带半导体材料和器件技术。
8、和而泰002402，子公司镰昌科技主营业务为微波室米波射频芯片的设计研发、生产和销售;已掌握成熟的氮化镓相控阵核忧芯片生产工艺，产品已经批量应用于航天、航空等相关型号装备。
9、捷捷微电300623，公司与中科院电子研究所、西安电子科大合作研发的是以Sc、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件，具有耐高压、耐高温、高速和高效等优点，可大幅降低电能变换中的能量损失，大幅减小和减轻电力电子变换装置。
10、乾照光电300102，公司凭借在砷化镓和氮化镓光电器件领域多年研发和生产的积累，积极布局以砷化镓和氮化镓材料为基础的化合物半导体方向，投资16亿元加码半导体研发项目。
11、航天发展000547，氮化镓芯片的生产与研发是旗下微系统研究院的主要业务之一。
12、聚灿光电300708，公司旗下海威华芯建立了国内第—条英寸砷化藏愿化镓半导体晶圆生产线，已达到砷化镓2000片/月,氮化镓600片/月的晶圆制造能力，公司部分产品已经实现量产。
13、亚光科技300123，公司GaN功率放大器实现小批量量产，公司现有自研射频芯片共计400多款，包括5G使用的低噪、功放、开关、滤波器答。
14、士兰微600460，公司已建成6英寸的硅基氮化镓集成电路芯片生产线，涵盖材料生长、器件研发、GaN电路研发、封装、系统应用的全技术链。
15、富满电子300671，国内电源管理领军者，主营充电器主控芯片，与oppo合作研发过GaN的充电器。
16、海能实业300787，公司使用氮化镓技术的产品主要为旅行充电器和充电站（四口及以上多口充电器），其中包含单个USBType-C充电器、双USBType-C充电器、USBType-C+USBType-A双口充电器、多口充电器等。
17、华峰测控688200，在宽禁带半导体测试方面，公司量产测试技术取得了重大进展，实现了晶圆级多工位并行测试，解决了多个GaN晶圆级测试的业界难题，并已成功量产。

Ⅱ 两年，超500亿灰飞烟灭！“芯骗”坑国的武汉弘芯们还在继续

文 | 特约作者张小星

编辑 | 浅夏

来源 | 新10亿商业参考

（ID：xsy-shangyecankao）

三年前，武汉弘芯成立，扬言投资1280亿研发芯片，欲比肩台积电，掀起一场轰轰烈烈的造"芯"运动；

三年后，烧完153亿元，武汉弘芯工程停滞，几近烂尾，分包商、工人被欠款后，投诉无门。

其幕后大股东从业经历与半导体无半点关系，竟撬动了千亿半导体项目，获得武汉政府垫资。

国内芯片产业似乎进入大跃进阶段，"弘芯"事件并非个例。成都格芯、南京德科码、贵州华芯通、山西坤同半导体……不少半导体项目烧了巨款后，归于沉寂。

半导体是个回报周期长，资金需求量巨大的产业，只能稳中求进。"弘芯"过后，国内造"芯"事业，再次迷航。

01

千亿项目"弘芯"停摆

中美博弈风口浪尖上，芯片国产化成了当务之急。芯片风口下，国内芯片投机分子蠢蠢欲动，借机挥下镰刀。

近段时间，投资额高达1280亿元的武汉重点项目武汉弘芯曝出"烂尾"，事件引发 社会 高度关注。

2017年11月，武汉弘芯出世。据介绍，该项目聚集了全球的半导体晶圆研发制造专家，拥有先进的逻辑工艺和晶圆级先进封装技术经验，未来预计建成14纳米和7纳米两条逻辑工艺生产线，月产量均达到每月3万片，且员工人数至少达到1000人规模。

要知道，现在能够实现7纳米芯片量产的企业只有台积电与三星， 武汉弘芯一上来就直接把自己定位在了全球第三的位置。

除此之外， 弘芯还请来了台积电创始人张忠谋的左膀右臂、台积电"二号人物"蒋尚义出任CEO。

在台积电多年任职期间，蒋尚义曾将研发团队从400人扩编至7600人，打造出世界级研发团队，引领台积电从技术追随者为技术领导者，是名副其实的"行业大牛"。

恰恰由于蒋尚义坐镇，不少台积电人才转向大陆。去年以来，大陆从台积电挖走100多名经验丰富的工程师和管理人员，其中有一半去了武汉。

有国内媒体曾援引《日经亚洲评论》报道称， 弘芯提供的工资待遇超出想象，是台积电薪酬和奖励总金额的2~2.5倍 。

这一度让台积电十分紧张。

蒋尚义加持下，弘芯又购入了价值6亿元的EUV（极紫外线）光刻机，这个光刻机仅荷兰ASML才可以生产，台积电和三星的光刻机也都来自ASML。

EUV光刻机稀有昂贵，有消息表明中国仅购买了2台，武汉弘芯就成功拿下1台，这让它一时间晋为芯片界明星项目。

在2019年底ASML光刻机进厂仪式上，背景板上写着"弘芯报国，梦圆中华"。

2018年、2019年，武汉弘芯连续入选湖北省级重点建设项目，风光无限。

2020年4月武汉市发改委发布的《武汉市2020年市级重大在建项目计划》中，武汉弘芯半导体项目仍然以1280亿元的总投资额位列第一， 截至2019年底已完成投资153亿元，2020年计划投资87亿元。

但就在大家抱以无比期待的2年等待后，等来的却是弘芯的爆雷。

今年6月，媒体传出蒋尚义萌生退意，他对外回应的是"公司是有些问题待解决"。

紧接着，7月30日，一份来自武汉市区政府网站意外披露的消息，将武汉弘芯推至风口浪尖，网站中关于投资建设的报告显示， 武汉弘芯项目"存在较大资金缺口，随时面临资金链断裂大致项目停滞风险"。

该报告还指出，弘芯二期用地一直未完成土地调规和出让，项目缺少土地等材料，不能上报给国家发改委窗口指导，导致其他股权基金无法导入。

资金捉襟见肘，欠款丑闻甚嚣尘上。

武汉弘芯拖欠总包商武汉火炬建设集团有限公司数亿工程款，还拖欠了分包商武汉环宇基础建设公司4100万工程款。

被二者诉至法庭后，弘芯公司账户因此冻结，二期价值7530万元的土地使用权被法院裁定查封三年。官司还在进行中。

针对此事，武汉弘芯去年11月公开声明，公司按期足额支付总承包商火炬集团工程款，而火炬集团与武汉环宇间属于内部结算纠纷。

至此，拖欠分包商工程款、工人工资，款项至今没有着落，武汉弘芯几近停摆，千亿项目灰飞烟灭。

其实，在爆雷之前，弘芯已有迹象，这直接体现在员工招聘和收入上。

去年起，网上网络贴吧和知乎上很多准员工称收到offer后，公司迟迟没有通知入职，现有员工公积金缴纳比例也从12%降至8%。

另外，有记者发现武汉弘芯"作假"，其购买并不是光刻机EUV，而是DUV（深紫外光）光刻机。

如今，这台光刻机在"全新尚未启用"的情况下，就以5.8亿抵押给了银行等着落灰。

而弘芯现有员工因为无法投入生产，只能每天坐在办公室写写PPT。

02

弘芯背后神秘丽影

回顾三年前武汉弘芯诞生之际，扬言要在国际芯片市场上弯道超车，凭借起步7nm工艺技术，一举比肩台积电。眼前的弘芯壮志未酬，身先死。

弘芯幕后人物一直像影子般存在。天眼查显示，武汉弘芯注册资本20亿元，目前实缴资本为2亿元。

这2亿元全部来自于持股10%的股东之一武汉临空港，武汉临空港的钱是武汉东西湖区国有资产监督管理局出的，也即国有资本。

而 持股90%、需提供18亿元的大股东北京光量蓝图 科技 有限公司实缴资本却为0。

20亿注册资本一分没出，空手套白狼。在此之下，政府资金一旦烧完，资金链立刻崩溃。

北京光量蓝图非常神秘，公司成立于2017年11月2日，早于武汉弘芯半个月。公司成立之初，龙伟、曹山均是分别任董事长和董事，在2019年1月两人从武汉弘芯董事名单中退出，之后李雪艳出任董事长、莫森进入董事。

据了解，曹山本身从事半导体行业，担任6家半导体公司法人、执行董事职务，布局半导体行业两年多时间。由此看出，光量蓝图一开始具备从事半导体能力。

然而，当曹山退出后，光量蓝图成了名副其实的空壳公司。李雪艳原先投资生态 科技 、买烧酒、办餐饮、盖园林，从业背景与半导体无半点联系，创办武汉弘芯前半个月创立了光量蓝图，项目至今未投入任何资金，一直在烧政府的钱。

而莫森则未查到任何与半导体有关的从业背景。

两个从未接触过半导体的人，竟然做了一千多亿的半导体项目，令人匪夷所思。

剥开迷雾，结合前文层层梳理，也即 李雪艳等人成立了空壳公司光量蓝图，再通过空壳公司拿到成都政府重点项目武汉弘芯，弘芯又通过总包商"武汉火炬建设"将债务和风险转移给了待贷款银行、分包商和供应商。

如此一来，他们不投资便获得一大笔收益。

去年7月和11月，光量蓝图因未及时公布年报和登记经营场所无法联系，被列入经营异常名录企业。

再看武汉弘芯，即便该公司股权结构清晰，细究之后也是疑窦重重 。两位离开的关键人物中，曹山从业背景已介绍过，而龙伟实则是庆安贸易总经理、法人。

庆安贸易曾投资过成都海威华芯 科技 有限公司，早就开始布局芯片产业，武汉弘芯是其第二次投资人芯片项目。

公司在龙伟之前的投资人为刘亚苏，关于此人的相关新闻中常见军方背景，再加上庆安贸易名字与军工企业庆安集团高度关联，可见庆安贸易并不简单。

有媒体在文章中也用了 "传闻称弘芯背后大股东资金来源或具有军方背景" 的话加以描述，武汉弘芯并未给予过回应，更显其神秘性。

"烂尾"消息曝出，被寄予厚望的民族企业瞬间成了骗局，政府、承包商、供应商、工程师、员工惨遭重击。让人唏嘘不已。

03

国内半导体"大跃进"

中国的芯片设计企业数量世界第一，实际设计水平也达到世界第二名。但制造是短板，很多材料全部依赖进口。

2019年，中国芯片进口额高达3040亿美元，远超排名第二的原油进口额。

经历过华为、中兴事件后，中国未来加大芯片领域投入，除了相关免税政策外，还牵头创办实验室，很多大基金趋之若鹜。

中科院表示，美国"卡脖子"清单变成科研任务，将进行全面布局。在此背景下，若中国芯片能崛起，可谓是"涅槃重生"。

但资本家们纷至沓来，引起的却是大量企业在全国各地画大饼、投资圈钱圈地，地方政府忽视项目真实情况，虚假项目大行其道，爆雷事件接踵而至。

记者采访了行业观察者张昊（匿名），其表示"一个未来存在很大机会的行业，肯定会引来很多人投资发展"。

近两年，类似武汉弘芯爆雷事件的还有：

另据《了望》报道，在短短一年多时间里，分布于我国江苏、四川、湖北、贵州、陕西等 5 省的 6 个百亿级半导体大项目先后停摆。“芯骗”坑国的武汉弘芯们还在继续……

国内造"芯"事业屡屡遇阻，张昊表示，"其实多年前也有过很多类似的失败案例，只是近期发生的事件频频被爆出，才感觉很多。"

针对这些被看做"骗局"的半导体项目，"一些项目一开始想得过于远大，中途发现做芯片难度太大，自身研发能力不足，最后做不下去了。"从而演变成骗局。

半导体及其耗资且回报周期长，需要一代人二三十年沉下心做研究，国内第一芯片代工厂中芯国际，苦熬20年才实现14nm工艺产量，新生代企业挑战7nm工艺，谈何容易；中科院换道 探索 20年研发出碳基芯片也绝非一蹴而就。

反观国内投资，多数追求短期回报，一些项目借此大肆圈钱。

还有一种情况，"项目方根本没有做好准备，想利用政府资源整合，获得融资发展机会，到最后发现做不下去了。"还有一种可能， "或许从最初就是一场骗局。 "

数据显示，中国在2019年仅本土生产了其国内使用所需半导体的16％，可见，距离实现半导体行业的自给自足和全球领导地位的目标还很遥远。

动辄以十年计算回报周期的芯片行业，单靠政府土地优惠政策远远不够，企业在没有盈利前，"活下去"才是战略重点。

Ⅲ 氮化镓市场风口来临 国内哪些企业在布局

日前，华为旗下哈勃投资入股山东天岳的消息，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料再次走入大众视野，引起业界重点关注。

事实上，随着半导体技术不断进步，对半导体器件性能、效率、小型化要求的越来越高，传统硅半导体材料逐渐无法满足性能需求，碳化硅、氮化镓等第三代半导体材料凭借着优异的性能，早已成为当前世界各国竞相布局的焦点，我国在加速发展集成电路产业的同时，把发展第三代半导体技术列入国家战略。

如今5G时代到来，将推动半导体材料实现革命性变化。其中，氮化镓器件以高性能特点广泛应用于通信、国防等领域，其市场需求有望在5G时代迎来爆发式增长。风口来临，我国目前有哪些企业在布局？下面将从衬底、外延片、制造及IDM几大分类盘点国内氮化镓主要企业。

GaN衬底企业

东莞市中稼半导体 科技 有限公司

东莞市中镓半导体 科技 有限公司成立于2009年1月，总部设于广东东莞，总注册资本为1.3亿元人民币，总部设立厂房办公区等共17000多平方米，并在北京有大型研发中心，为中国国内一家专业生产氮化镓衬底材料的企业。

官网显示，中镓半导体已建成国内首家专业的氮化镓衬底材料生产线，制备出厚度达1100微米的自支撑GaN衬底，并能够稳定生产。2018年2月，中镓半导体实现4英寸GaN自支撑衬底的试量产。

东莞市中晶半导体 科技 有限公司

东莞市中晶半导体 科技 有限公司成立于2010年，是广东光大企业集团在半导体领域继中镓半导体、中图半导体后布局的第三个重点产业化项目。

中晶半导体主要以HVPE设备等系列精密半导体设备制造技术为支撑，以GaN衬底为基础，重点发展Mini/MicroLED外延、芯片技术，并向新型显示模组方向延展；同时，中晶半导体将以GaN衬底材料技术为基础，孵化VCSEL、电力电子器件、化合物半导体射频器件、车灯封装模组、激光器封装模组等国际前沿技术，并进行全球产业布局。

苏州纳维 科技 有限公司

苏州纳维 科技 有限公司成立于2007年，致力于氮化镓单晶衬底的研发与产业化，实现了2英寸氮化镓单晶衬底的生产、完成了4英寸产品的工程化技术开发、突破了6英寸的关键技术，现在是国际上少数几家能够批量提供2英寸氮化镓单晶产品的单位之一。

据官网介绍，目前纳维 科技 GaN单晶衬底产品已提供给300余家客户使用，正在提升产能向企业应用市场发展，重点突破方向是蓝绿光半导体激光器、高功率电力电子器件、高可靠性高功率微波器件等重大领域。

镓特半导体 科技 （上海）有限公司

镓特半导体 科技 （上海）有限公司成立于2015年4月，主要从事大尺寸的高质量、低成本氮化镓衬底的生长，以推动诸多半导体企业能够以合理价来购买并使用氮化镓衬底。镓特半导体已自主研发出HVPE设备，并用以生长高质量的氮化镓衬底。

官网显示，借助自主研发的HVPE设备，镓特半导体已成功生长出4英寸的自支撑氮化镓衬底。镓特半导体表示，未来几年内将建成全球最大的氮化镓衬底生长基地，以此进一步推广氮化镓衬底在半导体材料市场上的广泛应用，并将依托自支撑GaN衬底进行中下游的高端LED、电力电子及其他器件的研发和制造。

GaN外延片企业

苏州晶湛半导体有限公司

苏州晶湛半导体有限公司成立于2012年3月，致力于氮化镓（GaN）外延材料的研发和产业化。2013年8月，晶湛半导体开始在苏州纳米城建设GaN外延材料生产线，可年产150mm氮化镓外延片2万片；2014年底，晶湛半导体发布其商品化8英寸硅基氮化镓外延片产品。

官网介绍称，截至目前，晶湛半导体已完成B轮融资用于扩大生产规模，其150mm的GaN-on-Si外延片的月产能达1万片。晶湛半导体现已拥有全球超过150家的着名半导体公司、研究院所客户。

聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司

聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司成立于2018年6月，专注于电力电子应用的外延材料增长。针对外延材料市场，聚能晶源正在开发硅基氮化镓材料生长技术并销售硅基氮化镓外延材料作为产品。

2018年12月，聚能晶源成功研制了达到全球业界领先水平的8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延晶圆。该型外延晶圆在实现了650V/700V高耐压能力的同时，保持了外延材料的高晶体质量、高均匀性与高可靠性，可以完全满足产业界中高压功率电子器件的应用需求。

北京世纪金光半导体有限公司

北京世纪金光半导体有限公司成立于2010年12月，经过多年发展，世纪金光已成为集半导体单晶材料、外延、器件、模块的研发、设计、生产与销售于一体的、贯通第三代半导体全产业链的企业。

在碳化硅领域，世纪金光已实现碳化硅全产业链贯通，氮化镓方面，官网显示其目前则以氮化镓基外延片为主。

聚力成半导体（重庆）有限公司

聚力成半导体（重庆）有限公司成立于2018年9月，是重庆捷舜 科技 有限公司在大足区设立的公司。2018年9月，重庆大足区政府与重庆捷舜 科技 有限公司签约，拟在重庆建设“聚力成外延片和芯片产线项目”。

2018年11月，聚力成半导体（重庆）有限公司举行奠基仪式，项目正式开工。该项目占地500亩，计划投资50亿元，将在大足高新区建设集氮化镓外延片、氮化镓芯片的研发与生产、封装测试、产品设计应用为一体的全产业链基地。2019年6月5日，该项目一期厂房正式启用，预计将于今年10月开始外延片的量产。

GaN制造企业

成都海威华芯 科技 有限公司

成都海威华芯 科技 有限公司成立于2010年，是国内首家提供6英寸砷化镓/氮化镓微波集成电路的纯晶圆代工企业。据了解，海威华芯由海特高新和央企中电科29所合资组建，2015年1月，海特高新以5.55亿元收购海威华芯原股东股权，并以增资的方式取得海威华芯52.91%的股权成为其控股股东，从而涉足高端化合物半导体集成电路芯片研制领域。

海威华芯6英寸第二代/第三代半导体集成电路芯片生产线已于2016年8月投入试生产。官网显示，海威华芯已开发了5G中频段小于6GHz的基站用氮化镓代工工艺、手机用砷化镓代工工艺，发布了毫米波频段用0.15um砷化镓工艺。砷化镓VCSEL激光器工艺、电力电子用硅基氮化镓制造工艺在2019年也取得了较大的进展。

厦门市三安集成电路有限公司

厦门市三安集成电路有限公司成立于2014年，是LED芯片制造公司三安光电下属子公司，基于氮化镓和砷化镓技术经营业务，是一家专门从事化合物半导体制造的代工厂，服务于射频、毫米波、功率电子和光学市场，具备衬底材料、外延生长以及芯片制造的产业整合能力。

三安集成项目总规划用地281 亩，总投资额30亿元，规划产能为30万片/年GaAs高速半导体外延片、30万片/年GaAs高速半导体芯片、6万片/年GaN高功率半导体外延片、6万片/年GaN高功率半导体芯片。官网显示，三安集成在微波射频领域已建成专业化、规模化的4英寸、6英寸化合物晶圆制造产线，在电子电路领域已推出高可靠性、高功率密度的SiC功率二极管及硅基氮化镓功率器件。

华润微电子有限公司

华润微电子有限公司是华润集团旗下负责微电子业务投资、发展和经营管理的企业，亦是中国本土具有重要影响力的综合性微电子企业，其聚焦于模拟与功率半导体等领域，业务包括集成电路设计、掩模制造、晶圆制造、封装测试及分立器件，目前拥有6-8英寸晶圆生产线5条、封装生产线2条、掩模生产线1条、设计公司3家，为国内拥有完整半导体产业链的企业。

2017年12月，华润微电子完成对中航（重庆）微电子有限公司（后更名为“华润微电子（重庆）有限公司”）的收购，重庆华润微电子采用8英寸0.18微米工艺技术进行芯片生产，并在主生产线外建有独立的MEMS和化合物半导体工艺线，具备氮化镓功率器件规模化生产制造能力。

杭州士兰微电子股份有限公司

杭州士兰微电子股份有限公司成立于成立于1997年，专业从事集成电路芯片设计以及半导体相关产品制造，2001年开始在杭州建了第一条5英寸芯片生产线，现已成为国内集成电路芯片设计与制造一体（IDM）企业。

近年来，士兰微逐步布局第三代化合物功率半导体。2017年，士兰微打通一条6英寸的硅基氮化镓功率器件中试线。2018年10月，士兰微厦门12英寸芯片生产线暨先进化合物半导体生产线开工，其中4/6英寸兼容先进化合物半导体器件生产线总投资50亿元，定位为第三代功率半导体、光通讯器件、高端LED芯片等。

GaN IDM企业

苏州能讯高能半导体公司

苏州能讯高能半导体有限公司成立于2011年，致力于宽禁带半导体氮化镓电子器件技术与产业化，为5G移动通讯、宽频带通信等射频微波领域和工业控制、电源、电动 汽车 等电力电子领域等两大领域提供高效率的半导体产品与服务。

能讯半导体采用整合设计与制造（IDM）的模式，自主开发了氮化镓材料生长、芯片设计、晶圆工艺、封装测试、可靠性与应用电路技术，目前公司拥有专利256项。该公司在江苏建有一座氮化镓（GaN）电子器件工厂，厂区占地55亩，累计投资10亿元。

江苏能华微电子 科技 发展有限公司

江苏能华微电子 科技 发展有限公司成立于2010年6月，是由国家千人计划专家朱廷刚博士领衔的、由留美留澳留日归国团队创办的一家专业设计、研发、生产、制造和销售以氮化镓为代表的复合半导体高性能晶圆、以及用其做成的功率器件、芯片和模块的高 科技 公司。

能华微电子先后承担了国家电子信息产业振兴和技术改造专项的大功率GaN功率电子器件及其材料的产业化项目、国家重点研发计划战略性先进电子材料重点专项的GaN基新型电力电子器件关键技术项目等。2017年，能华微电子建成8英寸氮化镓芯片生产线并正式启用。

英诺赛科（珠海） 科技 有限公司

英诺赛科（珠海） 科技 有限公司成立于2015年12月，该公司采用IDM 全产业链模式，致力于打造一个集研发、设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析为一体的第三代半导体生产平台。2017年11月，英诺赛科的8英寸硅基氮化镓生产线通线投产，成为国内首条实现量产的8英寸硅基氮化镓生产线，主要产品包括30V-650V氮化镓功率与5G射频器件。

2018年6月，总投资60亿元的英诺赛科苏州半导体芯片项目开工，今年8月30日项目主厂房封顶，预计12月底生产设备正式进厂，2020年可实现规模化量产。该项目聚焦在氮化镓和碳化硅等核心产品，将打造将成为集研发、设计、外延生产、芯片制造、分装测试等于一体的第三代半导体全产业链研发生产平台。

大连芯冠 科技 有限公司

大连芯冠 科技 有限公司成立于2016年3月，该公司采用整合设计与制造（IDM）的商业模式，主要从事第三代半导体硅基氮化镓外延材料及电力电子器件的研发、设计、生产和销售，产品应用于电源管理、太阳能逆变器、电动 汽车 及工业马达驱动等领域。

官网介绍称，芯冠 科技 已建成首条6英寸硅基氮化镓外延及功率器件晶圆生产线。2019年3月，芯冠 科技 在国内率先推出符合产业化标准的650伏硅基氮化镓功率器件产品（通过1000小时HTRB可靠性测试），并正式投放市场。

江苏华功半导体有限公司

江苏华功半导体有限公司成立于2016年5月，注册资本为2亿元人民币，一期投入10亿元人民币。官网介绍称，目前公司已全面掌握大尺寸Si衬底高电导、高耐压、高稳定性的GaN外延技术并掌握具有自主知识产权的增强型功率电子器件制造技术。

根据官网显示，华功半导体可提供2英寸、4英寸、6英寸及8英寸GaN-on-Si功率电子器件用外延片产品，并基于华功自有知识产权的GaN-on-Si外延技术设计和制造，提供650V/5A-60A系列化高速功率器件。

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Ⅳ 给海威华芯2O21年Pe70,市值160亿元股价是多少

那你就要看他有多少股本了，没有分母，一切都无从计算，市值除以股本才能得到对应的股价，期间还要考虑公司是否有分红和送股，一旦发生以上行为，会影响市值和股本

Ⅳ 成都海威华芯科技有限公司怎么样

简介： 2016年2月26日,公司名称由成都嘉石科技有限公司变更为成都海威华芯科技有限公司。
法定代表人：万涛
成立时间：2010-12-02
注册资本：120100万人民币
工商注册号：510122000081155
企业类型：其他有限责任公司
公司地址：中国（四川）自由贸易试验区成都市双流区西南航空港经济开发区物联大道88号

Ⅵ 砷化镓太阳能电池龙头企业

成都海威华芯科技有限公司与电子科技大学
海威华芯拥有国际一流的半导体工艺设备，包括：步进式光刻机、离子注入机、金属溅射台、金属蒸发台、湿法蚀刻台等，设备稳定性高。
性能优越，并且实现自动化制造，可为客户提供稳定、高效、优质的服务。
据悉，海威华芯拥有完整的技术团队、先进的GaAs集成电路制造技术和生产设备。
其“六英_GaAs集成电路Foundry线”是国家支持的重点产业化项目，在国际国内具有重要的战略意义。